谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用

High-performance Uniform Stepper-Based InP Double-Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) on a 3-Inch InP Substrate

Solid-State Electronics(2024)

引用 0|浏览21
关键词
Heterojunction bipolar transistors,Indium phosphide,III -V semiconductor materials,Indium grallium arsenide,Radio frequency
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要